深圳市明佳达电子进口原装热销TI CSD17304Q3 30V N沟道NexFET™金属氧化物场效应管
| 制造商 | 型号 | 年份 | 封装 |
| TI | CSD17304Q3 | 10+ | QFN |
规格
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类型
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描述
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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制造商
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Texas Instruments
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系列
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NexFET™
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
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零件状态
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有源
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15A（Ta），56A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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3V，8V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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7.5 毫欧 @ 17A，8V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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1.8V @ 250µA
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Vgs（最大值）
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+10V，-8V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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2.7W（Ta）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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漏源电压（Vdss）
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30V
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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6.6nC @ 4.5V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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955pF @ 15V
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基本产品编号
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CSD17304
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应用
•笔记本负载点
•负载点同步降压
网络，电信和计算系统
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