明佳达ON新品热销 NTMFD4C85NT1G 2N双沟道非对称型场效应晶体管
简型号：NTMFD4
年份：1735+
封装：QFN
特征
•共同封装的功率级解决方案，可最大程度地减少电路板空间
•寄生电感最小
•优化的设备以减少功率损耗
•这些设备无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，并且符合RoHS要求合规
规格属性
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类型
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描述
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类别
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分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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制造商
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ON Semiconductor
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系列
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-
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包装
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卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel®
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零件状态
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停产
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FET 类型
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2 N 沟道（双）非对称型
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FET 功能
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标准
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漏源电压（Vdss）
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30V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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15.4A，29.7A
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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3 毫欧 @ 20A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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2.1V @ 250µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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32nC @ 10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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1960pF @ 15V
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功率 - 最大值
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1.13W
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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封装/外壳
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8-PowerTDFN
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供应商器件封装
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8-DFN（5x6）
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应用领域
• DC-DC转换器
•系统电压轨
•负载点
实物图
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源自：深圳市明佳达电子有限公司
