英诺赛科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具备高频高效、极低损耗、快速主动散热等特点，采用DFN5*6封装。基于InoGaN技术，英诺赛科发布了30W快充方案。与传统方案相比，其方案功率密度提高一倍，最大效率可提升9%左右，损耗更小，体积更小，性价比更高。
30W氮化镓快充方案无论是在90ac、115Vac输入还是230Vac、264Vac输入，其效率均在92%以上。方案采用如下芯片：INN650DA04（GaN）+ SC3021（直驱GaN IC）+ SC3503（同步整流），以及HUSB339（协议）。
拥有8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线及先进的研发品控分析能力，InnoGaN系列的整体性能、成本、产能均可以得到很好的把控。
