日前，英诺赛科（苏州）半导体有限公司举办量产暨研发楼奠基仪式，宣布英诺赛科苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式进入量产阶段。该项目位于江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，一期投资80亿元，用地213亩，按当前计划，到2021年底，产能可达6000片每月。项目全部达产后，预计将实现年产能78万片8英寸硅基氮化镓晶圆，年产值120亿元，利税15亿元以上。
苏州8英寸硅基氮化镓研发生产基地正式量产是英诺赛科的一个里程碑。自项目从2018年6月正式启动以来，过去三年英诺赛科争分夺秒，奋力推进项目建设，在2019年8月主厂房封顶，于2020年9月开始设备搬入，到2021年6月就实现大规模量产，从设备搬入到开始量产仅用了8个半月时间，这是每一位英诺赛科人与合作伙伴的荣耀，也必将写入第三代半导体产业发展史。
与硅材料相比，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料也被称为第三代半导体技术。与硅材料相比，宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、饱和电子漂移速度高、击穿场强高等优势。因此，用宽禁带半导体材料制作的器件具有耐高温、耐高压、损耗低、高频特性好等特点， 在功率与射频应用中具有极高潜力。
英诺赛科是全球仅有的从低压到高压（30V-650V）全覆盖的氮化镓整合元件制造商。在快充适配器市场，已经有超过60家客户的量产产品采用英诺赛科器件，出货量达到千万级；在激光雷达市场，超过5家厂商采用英诺赛科方案，出货量达到百万；在数据中心和手机应用上，英诺赛科产品也进入多家核心客户方案中。
半导体产业发展70多年后，硅材料在功率和射频方面的应用潜能已经被充分挖掘，难以大幅提高，以氮化镓为代表的第三代半导体材料适逢其会，将引领未来十年半导体市场增长趋势。该基地进入量产，标志着这家全球氮化镓产能规划最大的企业为氮化镓应用时代的到来做好了准备。
在量产仪式同期，英诺赛科还举办了研发楼奠基仪式。
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