东科半导体推出了两款合封氮化镓功率器件的电源主控芯片DKG045Q和DKG065Q，分别适用于45W氮化镓快充和65W氮化镓快充，从而实现高集成、小体积的快充电源设计。
东科DKG045Q内部集成了650V/200mΩ导阻的GaN HEMT、逻辑控制器、GaN驱动器和高压启动管，采用反激方式，DFN5x6mm封装，输出功率45W，最高工作频率150KHz。
相比传统控制器+驱动器+GaN的电路，采用东科DKG045Q只需要一颗芯片即可完成原有三颗芯片才能完成的功能，电源系统设计更加简洁化。同时东科DKG045Q还具有多种操作模式，可以降低待机功耗，提高轻载效率，并且芯片还内置完善的保护功能，增加系统可靠性。
DKG065Q采用QFN8*8封装，内部集成来自英诺赛科的650V/130mΩ导阻的GaN HEMT、逻辑控制器、GaN驱动器和高压启动管，采用反激架构，支持最大65W的输出功率，最高工作频率140KHz。
