明佳达电子飞思卡尔热销《AFT26H200W03SR6》射频功率LDMOS晶体管
年份：15+
封装：TO270
说明
AFT26H200W03SR6N沟道增强型横向 MOSFET，这款 45 W非对称 Doherty 射频功率 LDMOS 晶体管设计用于用于需要非常宽的瞬时的蜂窝基站应用带宽能力覆盖 2496 - 2690 MHz 的频率范围。
• 典型的 Doherty 单载波 W-CDMA 性能：V DD = 28 V，I DQA = 500 mA，V GSB = 0.3 Vdc，P out = 45 Watts Avg.，输入信号PAR = 9.9 dB @ CCDF 的 0.01% 概率。
特征
• 高级高性能封装内 Doherty
• 专为宽瞬时带宽应用而设计
• 更大的负栅源电压范围以改善 C 类手术
• 专为数字预失真纠错系统而设计
• 在磁带和卷轴中。R6 后缀 = 150 个单位，56 毫米磁带宽度，13 英寸卷轴。
规格
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晶体管类型
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LDMOS
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频率
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2.5GHz
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增益
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14.1dB
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额定电流（安培）
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噪声系数
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功率 - 输出
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45W
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封装/外壳
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NI-1230-4S
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供应商器件封装
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NI-1230-4S
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电压 - 测试
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28 V
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电流 - 测试
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500 mA
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电压 - 额定
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65 V
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实物图
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