明佳达原装现货库存提供TI德州 CSD17304Q3 N 沟道 MOSFET 晶体管
型号：CSD17304Q3
年份：10+
封装：QFN
说明：30V、N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，单 SON 3 mm x 3 mm，8.8 mOhm
参数
VDS (V)30配置单身的Rds(on) max at VGS=4.5 V (mOhms)8.8IDM - 脉冲漏极电流 (Max) (A)88QG 典型值 (nC)5.1QGD 典型值 (nC)1.1包装（毫米）SON3x3VGS (V)10VGSTH 典型值 (V)1.3ID - 硅限制在 Tc=25degC (A)60ID - 包裹限制 (A)60逻辑电平是的描述
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大限度地减少功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。
特征
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- 超低 Q g和 Q gd
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 无铅端子电镀
- 符合 RoHS
- 无卤
- SON 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
- 应用
- 笔记本负载点
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
实物图
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