明佳达强势推出SI3586 SI3586DV N 和 P 沟道 20V (DS) 金属氧化物场效应晶体管
品牌：VISHAY
年份：12+
封装：SOT563
特征
• 宏模型（子电路模型）
• 3 级 MOS
• 同时申请线性和开关应用
• 在−55 至 125°C 温度范围内保持准确
• 模拟栅极电荷、瞬态和二极管反向恢复
描述
附加的香料模型描述了典型的电气n 沟道和 p 沟道垂直 DMOS 的特性。这次电路模型是提取和优化超过这-55 - 125°C 的温度范围在脉冲 0-V 至 5-V 栅极下驾驶。饱和输出阻抗最适合栅极偏置接近阈值电压。一种新颖的栅漏反馈电容网络用于建模栅极电荷特性，同时避免收敛困难切换 C gd模型。所有模型参数值都经过优化为测量的电气数据提供最佳拟合，而不是旨在作为设备的精确物理解释。
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