近日，根据市调机构Yole Dédevelopement发布的《内存行业年度状况报告》显示，2022年，DRAM、NAND闪存市场将分别增长25%、24%到1180亿美元、830亿美元，均创历史新高。2021-2027年，独立内存市场预计将以8%的CAGR增长至2600多亿美元。然而，季节性因素仍将存在。
2022年是NAND闪存发明35周年。自1987年以来，NAND设备的位密度和位成本一直在不断提高。为了维持这种规模，人们正在深入研究新的技术解决方案，包括CBA体系结构，如长江存储的Xtacking方法。如今，所有的存储器制造商都在使用混合键合设备进行研发。铠侠和三星等主要供应商正在将晶圆对晶圆键合纳入NAND路线图。
DRAM业务上，Yole指出了当前的共识，即平面缩放——即使通过光刻EUV工艺，也不足以在整个未来十年提供所需的位密度改善。因此，主要设备供应商和领先的DRAM制造商正在考虑将单片3D DRAM（相当于3D NAND的DRAM）作为长期扩展的潜在解决方案。Yole的分析师认为，这种新型3D技术可能会在2029-2030年进入市场。
