深圳明佳达电子推出晶体管 NTMFS4C810NAT3G NTMFS4C810N MOSFET–功率，单 N沟道，SO-8FL 30V，46A
型号: NTMFS4C810NAT3G
批次: 新21+
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 46 A
Rds On-漏源导通电阻: 6.95 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V
Qg-栅极电荷: 9.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.49 W
通道模式: Enhancement
封装: 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
工厂包装数量: 5000
特征
• 低RDS（开启），以最小化传导损耗
• 低电容，将驱动器损耗降至最低
• 优化栅极电荷，以最小化开关损耗
• 这些设备为Pb−不含卤素、不含BFR，符合RoHS标准
应用
• CPU供电
• 直流−直流转换器
只做原装，大量工厂库存，有意者请咨询陈先生：
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