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256Mb S80KS2562GABHM023、S80KS2563GABHB023 伪静态随机存储器 带HYPERBUS™接口

明佳达供应及回收存储器 S80KS2562GABHM023S80KS2563GABHB023 256MBit 1.8 V汽车(125°C)HyperBus HYPERRAM Gen 2.0,位于24个FBGA中

制造商 INFINEON
年份 最新23+
封装 24-FBGA

描述:

256 Mb HYPERRAM™器件是一种高速CMOS、自刷新DRAM,具有HYPERBUS™接口。该DRAM阵列使用需要定期刷新的动态单元。当存储器没有被HYPERBUS™接口主站(主机)主动读写时,该器件内的刷新控制逻辑管理着DRAM阵列的刷新操作。

规格:

存储器类型: 易失  

存储器格式: PSRAM  

技术: PSRAM(伪 SRAM)  

存储容量: 256Mb  

存储器组织: 32M x 8  

存储器接口: HyperBus  

时钟频率: 200 MHz  

写周期时间 - 字,页: 35ns  

访问时间: 35 ns  

电压 - 供电: 1.7V ~ 2V  

工作温度: -40°C ~ 125°C(TA) 

 

回收存储器IC《S80KS2562GABHM023、S80KS2563GABHB023》只要原装正品,如代理商、贸易商、终端工厂等,有多余库存要处理的欢迎联系我们陈先生QQ1668527835 手机13410018555 邮箱chen13410018555@163.com!

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点击数:0 | 更新时间:2023-05-08 13:29:47
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