英飞凌IGBT单管 AIGB30N65F5ATMA1、AIGB30N65H5ATMA1 第五代高速开关系列

AIGB30N65F5ATMA1、AIGB30N65H5ATMA1 TRENCHSTOP™ 5 F5分立式IGBT针对开关>60kHz进行了优化，以提供最佳效率，弥补MOSFET和IGBT之间的差距。与目前领先解决方案相比，F5系列显著降低了开关损耗。目标拓扑为不间断电源 (UPS)、逆变焊机和开关电源 (SMPS) 等应用中常见的升压级、PFC（交流-直流）级和高压直流-直流拓扑。 直流）级和高压直流-直流拓扑。650V Trenchstop™ 5 F5 igbt与碳化硅二极管共同针对低电感设计，提供的效率比650V Trenchstop™ 5 H5系列高出1%。F5产品需要的设计工作更多，但回报也更高。

功能和优点：

高速 F5 技术提供：

•在硬交换和谐振拓扑中的最高效率拓扑

•650V 击穿电压-低栅极充电 QG

•最高结温 175°C

•通过动态耐压测试

•通过 AEC-Q101 认证

•绿色包装（符合 RoHS 标准）

应用

•板外充电器

•板载充电器

•DC/DC转换器

•功率因数校正

公司回收英飞凌IGBT晶体管 AIGB30N65F5ATMA1、AIGB30N65H5ATMA1，只收原装正品，如代理商、贸易商、终端工厂等，散新翻新均不考虑，有库存需处理的朋友欢迎致电咨询！

公司首页：www.szmjd.com、www.hkmjd.com