深圳市明佳达电子供应和回收车规级MOSFET IAUC100N04S6L014 表面贴装型 N 通道 100 V 180A（Tj） 221W（Tc） PG-HSOF-5-4
| 型号 | IAUC100N04S6L014 |
| 年份 | 最新 |
产品属性
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系列
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OptiMOS™
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FET 类型
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N 通道
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技术
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MOSFET（金属氧化物）
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漏源电压（Vdss）
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100 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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180A（Tj）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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6V，10V
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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2.9 毫欧 @ 90A，10V
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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3.8V @ 130µA
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不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
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105 nC @ 10 V
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Vgs（最大值）
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±20V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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7673 pF @ 50 V
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功率耗散（最大值）
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221W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 175°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-HSOF-5-4
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封装/外壳
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5-PowerSFN
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介绍
英飞凌推出最新的 OptiMOS™6 40V 功率 MOS 技术，采用 5x6mm² SS08 无引线封装，具有最高的质量水平和坚固性，适用于汽车应用。16 种产品组合（RDSon_max 从 0.8mΩ 到 4.4mΩ，可满足从低功率（如车身应用）到高功率（如 EPS）的所有应用）使客户能够找到最适合其应用的产品。
所有这一切都使产品的 FOM（RDSon x Qg）和性能成为市场上同类产品中的佼佼者。新型 SS08 产品的额定连续电流为 120A，比标准 DPAK 高出 25%，而占地面积几乎只有标准 DPAK 的一半。
此外，新一代 SS08 封装采用新型铜夹互连技术，具有极低的封装电感（与 DPAK、D²PAK 等传统封装相比，封装电感降低了 ≈4 倍），因此开关性能和 EMI 性能更出色。
公司只回收正规渠道货源，如代理商、贸易商、终端工厂等，不接受不是正规渠道货源。
联系人：陈先生/评估团队
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