供应存储器《CY14V101QS-SE108XI》NVRAM 1-Mbit (128KX8) 四路 SPI nvSRAM

深圳市明佳达电子有限公司进口原装供应存储器《CY14V101QS-SE108XI》NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 1Mb SPI 108 MHz 16-SOIC

器件说明

CY14V101QS-SE108XI 1 Mbit （128K × 8) 四通道 SPI NVSRAM 耦合一个 1 Mbit NVSRAM ，具有一个 QPI 接口。 QPI 通过使用特定运算代码能够在单路（每个时钟周期使用一个I/O 通道传输一位）、双路（每个时钟周期使用两个 I/O 通道传输两位）、或四路（每个时钟周期使用四个 I/O 通道传输四位）配置中实现内存读写操作。 该内存采用 128Kbytes 结构，每个包含 SRAM 和非易失性 SONOS FLASH Quantum Trap内存单元。 SRAM 可提供不限次读写周期，而非易失性单元可提供数据储存。 断电时，数据自动从 SRAM 传输到非易失性单元（STORE 操作）。 上电时，数据可从非易失性单元（RECALL 操作）恢复到 SRAM。 用户还可通过 SPI 指令启动 STORE 和 RECALL 操作。

特性

• 密度 1Mbit（128K × 8）
• 带宽
• 108MHz 高速接口
• 读写速度 54MBps
• 串行外设接口
• 时钟极性和相位模式 0 和 3
• 多输入/输出选项 - 单 SPI (SPI)、双 SPI (DPI) 和四 SPI (QPI)
• 高可靠性
• 无限次读取、写入和 RECALL 循环
• 非易失性元件（SONOS FLASH 量子阱）一百万次存储周期
• 数据保存：85 °C 下 20 年
• 读取
• 命令： 标准、快速、双 I/O 和四 I/O
• 模式 突发包络、连续 (XIP)
• 写入
• 命令：标准、快速、双 I/O 和四输入/输出 标准、快速、双 I/O 和四 I/O
• 模式：连续 突发包络
• 数据保护
• 硬件 通过写保护引脚 (WP)
• 软件 通过写入禁用指令
• 块保护： 状态寄存器位控制保护
• 特殊指令
• 存储/调用： 在 SRAM 和量子捕获器之间访问数据
• 序列号： 8 字节客户可选 (OTP)
• 识别码： 4 字节制造商 ID 和产品 ID
• 从 SRAM 存储到非易失性 SONOS FLASH 量子捕获器
• 自动存储： 通过一个小型电容器 (VCAP) 在断电时自动启动
• 软件： 使用 SPI 指令 (STORE)
• 硬件：HSB 引脚
• 从非易失性 SONOS FLASH 量子捕获器调用到 SRAM
• 自动调用：上电时自动启动
• 软件： 使用 SPI 指令 (RECALL) 使用 SPI 指令 (RECALL)
• 低功耗模式
• 睡眠： 平均电流 = 280μA（+85°C 时
• 休眠： 平均电流 = 8μA （+85°C 时
• 工作电源电压
• 核心 VCC：2.7V 至 3.6V
• I/O VCCQ：1.71V 至 2.0V
• 温度范围：-40°C 至 +85°C
• 封装： 16 引脚 SOIC

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