官方网站-深圳市明佳达电子有限公司
在线咨询

供应汽车低侧开关 VNS1NV04DPTR OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET

深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应汽车低侧开关 VNS1NV04DPTR OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET

描述

VNS1NV04DPTR是由两个单片式 OMNIFET II 芯片组成的器件,采用标准 SO-8 封装。OMNIFET II 采用意法半导体 VIPower M0-3 技术设计:用于替代直流至 50KHz 应用中的标准功率 MOSFET。

内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。

可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。

所有功能

符合 2002/95/EC 欧洲指令

与标准功率 mosfet 兼容

ESD 保护

通过输入引脚进行诊断反馈

线性电流限制

短路保护

热关断

输入引脚电流低

直接访问功率 mosfet 的栅极(模拟驱动)

集成钳位

电路原理图

现货库存,价格优势,质量保证,实单有接受价请联系陈先生:

QQ:1668527835

电话:13410018555(微信同步)

邮箱:chen13410018555@163.com

公司网址:www.szmjd.com

VNS1NV04DPTR

更多
点击数:0 | 更新时间:2024-01-02 11:29:20
Copyright © 2012-2013 深圳市明佳达电子有限公司 版权所有  粤ICP备05062024号-16
电话:86755-83294757    传真:0755-83957753    邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
地址:深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241