深圳市明佳达电子有限公司全新原装供应汽车低侧开关 VNS1NV04DPTR OMNIFET II:全自动保护功率MOSFET
描述
VNS1NV04DPTR是由两个单片式 OMNIFET II 芯片组成的器件,采用标准 SO-8 封装。OMNIFET II 采用意法半导体 VIPower M0-3 技术设计:用于替代直流至 50KHz 应用中的标准功率 MOSFET。
内置热关断、线性电流限制和过压箝位功能可在恶劣环境中保护芯片。
可通过监测输入引脚的电压来检测故障反馈。
所有功能
符合 2002/95/EC 欧洲指令
与标准功率 mosfet 兼容
ESD 保护
通过输入引脚进行诊断反馈
线性电流限制
短路保护
热关断
输入引脚电流低
直接访问功率 mosfet 的栅极(模拟驱动)
集成钳位
电路原理图
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