供求氮化镓晶体管 IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1 增强模式晶体管，常关型开关

一、器件描述

英飞凌科技CoolGaN™ 600V栅极注入技术 (GIT) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 具有快速导通和关断速度，开关损耗最小。该系列GaN增强模式功率晶体管采用ThinPAK 5x6表面贴装封装，非常适合用于需要无需散热片的紧凑型器件的应用。英飞凌科技CoolGaN™ 600V GIT HEMT具有5mm x 6mm2小尺寸和1mm薄型高度，因此非常适合用于实现高功率密度。

二、特性

• 增强模式晶体管，常关型开关
• 采用小尺寸无引线SMD封装的GaN HEMT
• GaN定制认证
• 超快开关速度
• 无反向恢复电荷
• 能够反向导通
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 出色的换向耐受性
• 提高系统效率
• 提高功率密度
• 支持更高工作频率
• 系统成本降低
• 降低EMI
• 符合JEDEC标准（JESD47和JESD22），适用于工业应用
• 无铅、无卤，符合RoHS指令

三、产品应用

• 用于基于半桥拓扑的工业、电信和数据中心的SMPS（用于硬开关和软开关的半桥拓扑，例如图腾柱PFC、高频LLC）
• 低功耗SMPS
• 充电器和适配器

明佳达电子供求氮化镓晶体管 IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1 表面贴装型 N 通道 600 V MOSFET

产品型号：IGLR60R340D1XUMA1、IGLR60R190D1XUMA1 

批次：新23+

封装：TSON-8

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