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供求晶体管 IGT60R190D1SATMA1 N 通道 600 V 12.5A(Tc) 55,5W(Tc)

明佳达电子供应和求购晶体管 IGT60R190D1SATMA1 表面贴装型 N 通道 600 V 12.5A(Tc) 55,5W(Tc) PG-HSOF-8-3

制造商
Infineon Technologies
产品型号
描述
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF

特点

 增强型晶体管 - 常闭开关

 超快速开关

 无反向恢复电荷

 能够反向导通

 低栅极电荷、低输出电荷

 优越的换向坚固性

 符合 JEDEC 标准,可用于标准级应用

优势

 提高系统效率

 提高功率密度

 实现更高的工作频率

 节省系统成本

 降低电磁干扰

应用

基于半桥拓扑结构的消费类 SMPS 和高密度充电器(用于硬开关和软开关的半桥拓扑结构,如图腾柱 PFC、高频 LLC 和反激式)。

其他应用:查看 CoolGaN™ 可靠性白皮书并联系 英飞凌地区支持。

如有兴趣,请来电联系陈先生:

QQ:1668527835

电话:13410018555

邮箱:chen13410018555@163.com

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点击数:0 | 更新时间:2024-03-05 11:34:35
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