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最新英飞凌 IGT60R070D1ATMA4 600V CoolGaN晶体管的介绍、特性及应用

1、介绍

英飞凌CoolGaN™氮化镓HEMT具有诸多优势,包括超高效率、可靠性、功率密度以及相对于硅的极高质量。CoolGaN晶体管采用极为可靠的技术,设计用于实现开关模式电源中的超高效率和功率密度。这些器件的工作方式类似于采用p-GaN栅极结构以及增强模式栅极驱动偏置的传统硅MOSFET。

2、特性

  • 600V功率器件的品质因数
  • 非常适合用于硬开关和软开关拓扑
  • 功率密度可提高三倍
  • 经过优化的开启和关闭模式
  • 面向创新解决方案和大容量的技术
  • SMPS的超高效率
  • 表面贴装封装可确保完全访问GaN的开关能力
  • 各种驱动器IC产品组合,简单易用

3、应用

  • 服务器
  • 电信
  • 无线充电
  • 适配器和充电器

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点击数:0 | 更新时间:2024-03-05 12:05:01
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