深圳市明佳达电子有限公司长期供求晶体管 IGLD60R190D1AUMA1 600V GaN晶体管，为消费、工业和汽车应用提供最高效率和功率密度的分立与集成解决方案。
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制造商
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Infineon Technologies
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产品型号
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描述
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表面贴装型 N 通道 600 V 10A（Tc） 62.5W（Tc） PG-LSON-8-1
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产品属性
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系列
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CoolGaN™
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FET 类型
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N 通道
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技术
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GaNFET（氮化镓）
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漏源电压（Vdss）
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600 V
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25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
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10A（Tc）
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驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
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-
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不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
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-
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不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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1，6V @ 960µA
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Vgs（最大值）
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-10V
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不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
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157 pF @ 400 V
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FET 功能
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-
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功率耗散（最大值）
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62.5W（Tc）
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工作温度
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-55°C ~ 150°C（TJ）
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安装类型
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表面贴装型
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供应商器件封装
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PG-LSON-8-1
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封装/外壳
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8-LDFN 裸焊盘
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总结
英飞凌的GaN晶体管在高达 700 V 的电压范围内可实现高效的功率转换。我们的GaN器件具有快速的导通/关断速度、最小的开关损耗和多种封装选择，能够简单快速地将产品推向市场。这些器件不仅符合广泛标准，还超越行业标准。GaN技术大大提高了系统的整体性能，并最大限度地降低了系统成本，提高了易用性。
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