深圳市明佳达电子原装现货出售英飞凌NOR闪存 S70GL02GS11FHI010 2 Gbit (256 MB) GL-S MIRRORBIT™ 并行闪存，3.0 V
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制造商
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Infineon Technologies
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产品型号
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描述
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FLASH - NOR 存储器 IC 2Gb 并联 110 ns 64-FBGA（13x11）
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规格
| 产品种类: | NOR闪存 | |
| SMD/SMT | ||
| BGA-64 | ||
| S70GL02GS | ||
| 2 Gbit | ||
| 2.7 V | ||
| 3.6 V | ||
| 160 mA | ||
| Parallel | ||
| 128 M x 16 | ||
| 16 bit | ||
| Asynchronous | ||
| - 40 C | ||
| + 85 C | ||
| 结构: | Sector | |
| 存储类型: | NOR | |
| 湿度敏感性: | Yes | |
| 产品类型: | NOR Flash | |
| 速度: | 110 ns | |
| 工厂包装数量: | 1800 | |
| 子类别: | Memory & Data Storage | |
| 单位重量: | 170.200 mg |
一般描述
S70GL02GS 2-Gb MIRRORBIT™ 闪存器件采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件的快速页面访问时间为 25 ns，相应的随机访问时间为 110 ns。它具有一个写缓冲器，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节，与标准的单字节/字编程算法相比，有效编程时间更短。这使得该器件成为当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用的理想产品。
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