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提供GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管

 明佳达提供GS61008T-MR 100 V CoolGaN™ e-mode 功率晶体管

 

器件概述

GS6100x 100V E-HEMT晶体管是增强型硅基氮化镓功率器件。这些晶体管具有GaN的特性,可提供高电流、高击穿电压和极高的开关频率。GS6100x晶体管采用岛式技术单元布局,以提供高电流芯片和高产量。它们还采用GaNPX封装,在小封装中提供低电导和低热阻。GS6100x晶体管为高功率应用提供极低的结至外壳热阻。所有这些特性相结合,提供了非常高效的电源开关。

制造商 Infineon
型号 GS61008T-MR
封装 PG-ULGA-4

技术:GaN-on-Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:GaNpx

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:90 A

Rds On-漏源导通电阻:9.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 7 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1.1 V

Qg-栅极电荷:8 nC

最小工作温度:- 55°C

最大工作温度:+ 150°C

Pd-功率耗散:-

通道模式:Enhancement

商标名:GaNPX

系列:GS6100x

配置:Single

开发套件:GS61008P-EVBHF

湿度敏感性:Yes

产品类型:MOSFET

单位重量:3 g

 

典型应用

• 不间断电源(UPS)

• 工业电机驱动

• 机器人学

• 无线电力传输

• 快速电池充电

• D类放大器

• 能量存储系统

• 交流/DC转换器(次级侧)

• 牵引驱动

 

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