7 月 12 日消息，韩国媒体报道指，美光的 HBM3E 内存在上 (6) 月遭遇封装缺陷，引起发热问题，影响了量产进程。
美光于 2 月 26 日宣布量产基于 1β 工艺的 HBM3E 内存，并从二季度开始向英伟达供货，用于 H200 AI GPU。
此外据台媒《工商时报》消息，英伟达 H200 芯片于二季度下旬进入量产阶段，预计三季度开始大规模交付。
韩媒表示，由于问题出现在 2.5D 封装层面而非 HBM 产品本身，美光在此次缺陷中应承担的责任并不大。
有分析认为，美光 HBM3E 内存出现问题是台积电在封装过程中使用了错误的材料所致。
