2023年10月，英飞凌成功收购GaN Systems，后者是在氮化镓芯片设计领域，有着独特的技术和产品积累的公司。
英飞凌在收购GaN Systems前主要提供两类氮化镓产品，即分立式功率器件和集成式功率器件。收购后品类由两类增加至五类。第一类叫CoolGaN Transistor，也就是原来的单管。第二类是CoolGaN BDS双向开关，第三类CoolGaN Smart Sense，是内部包含电流检测或者其他检测功能的器件。第四类CoolGaN Drive类似以前集成的驱动器器件，第五类CoolGaN Control集成控制、驱动和开关功能的器件。
英飞凌的CoolGaN Transistor器件覆盖中压、高压，且只做增强型器件，并同时拥有电压型驱动和电流型驱动两种技术。英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮分析，现在增强型的氮化镓有两种门极结构即电流型驱动和电压型驱动。电流型驱动是指如果让氮化镓维持开通，必须要有一个电流，大概在几个毫安到十多个毫安。电压型驱动则是在打开之后不需要任何电流。
“之所以有电流型驱动这种结构，是因为氮化镓器件开通速度非常快。它的导通电压很低，大概1V左右（1.1V、1.2V），这时候把它开通和关断很容易产生噪声，让它误开通或者误关断。电流型的好处是可以大大抑制这种错误动作的发生。只给它电压很难达到完全的开通，需要电流，这样整个氮化镓开通工作的可靠性会大幅提高。”宋清亮说道。
现在业界只有英飞凌有这种电流型驱动技术，收购GaN Systems之后增加电压型驱动，客户可以根据自己的设计能力和应用环境自行选择。
CoolGaN BDS拥有出色的软开关和硬开关性能，提供40 V、650 V 和 850 V电压双向开关，适用于移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。
据介绍，CoolGaN BDS 40 V是一款基于英飞凌肖特基栅极氮化镓自主技术的常闭单片双向开关。它能阻断两个方向的电压，并且通过单栅极共源极的设计进行了优化，以取代电池供电消费产品中用作断开开关的背对背 MOSFET。首款40 V CoolGaN BDS产品的 RDS(on)值为 6 mΩ，后续还将推出一系列产品。相比背对背硅FET，使用40 V GaN BDS的优点包括节省50% - 75%的PCB面积、降低50%以上的功率损耗，以及减少成本。
CoolGaN BDS高压产品分为650 V 和 850 V两个型号，采用真正的常闭单片双向开关，具有四种工作模式。该系列半导体器件基于栅极注入晶体管（GIT）技术，拥有两个带有衬底终端和独立隔离控制的分立栅极。它们利用相同的漂移区来阻断两个方向的电压，即便在重复短路的情况下也具备出色的性能，并且通过使用一个BDS代替四个传统晶体管，可提高效率、密度和可靠性，使应用能够从中受益并大幅节约成本。在替代单相H4 PFC、HERIC逆变器，和三相维也纳整流器中的背对背开关时，该系列器件能够优化性能，而且还可用于交流/直流或直流/交流拓扑结构中的单级交流电源转换等。
