纳芯微全新推出集成化的Power Stage产品NSG65N15K，内部集成了高压半桥驱动器和两颗650V耐压的GaN开关管，可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。
产品描述：
NSG65N15K-DQAFR是纳芯微推出的系统级Power Stage产品，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管，工作电流可达20A。
NSG65N15K内部还集成了自举二极管，并且内置可调死区时间、欠压保护、过温保护功能，有利于实现 GaN应用的安全、可靠工作，并充分发挥其高频、高速的特性优势。
主要特性：
- 内部集成650V的GaN开关管和半桥驱动器
- GaN导阻电阻150mΩ
- 无反向恢复损耗
- 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠
- 高低边独立 UVLO 保护功能
- 内部可调死区时间
- 内置自举二极管
- 工作环境温度:-40℃ ~125℃
- 封装形式: QFN (9*9mm)
应用：
- 图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑
- 适配器高密电源
- 光伏、电机驱动及新能源领域
功能框图：
