提高占世界大部分电力消耗的电源和电机的效率已成为实现脱碳社会的重大障碍。采用 GaN 和 SiC 等新材料是提高电源效率的关键。
在 2023 年 3 月开始批量生产 2022 年栅极击穿电压为 8 V 的 150 V GaN HEMT 之后，ROHM 开发了控制 IC 技术以最大限度地提高 GaN 性能。这一次，ROHM 推出具有市场领先性能的 650 V GaN HEMT，有助于在更广泛的电源系统中实现更高的效率和更小的尺寸。
描述
BM3G007MUV-LBE2器件非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和Si驱动器集成于ROHM自有封装，与以往的分立解决方案相比，由PCB布线和引线键合引起的寄生电感大大降低，可实现高达150V/ns的开关速度。另外，其栅极驱动强度可调节，这非常有助于降低EMI。该产品还内置各种保护功能和其他附加功能，可优化成本和PCB尺寸。该IC的设计旨在通用于现有的主要控制器，因此也可以替代SJ MOSFET等以往的分立功率开关。
特征
Nano CAP™集成输出可选5V LDO
为工业应用提供长期支持产品
宽工作范围，适用于VDD 引脚电压
IN引脚电压的宽工作范围
低VDD 静态和工作电流
低传播延迟
高dv/dt抗噪性
可调栅极驱动器强度
电源良好信号输出
VDD UVLO保护
热关断保护
应用
工业设备
电源与大功率密度
高效需求
桥拓扑结构如图腾柱PFC
LLC电源
适配器
