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台积电遭遇专利风暴:其28nm及FinFET技术被美国公司指控专利侵权

 一场突如其来的专利纷争将台积电推向了风口浪尖。8月1日,一家总部位于美国的Advanced Integrated Circuit Process LLC(简称AICP)公司在美国德州东区地方法院正式对台积电发起专利侵权诉讼,指控其侵犯了七项与集成电路紧密相关的专利。这一举动不仅引发了业界的广泛关注,也再次凸显了半导体行业知识产权保护的复杂性与重要性。

专利诉讼详情

AICP在诉讼中指出,台积电的28nm工艺产品,包括为飞思卡尔(现为恩智浦)、联发科等公司生产的芯片,以及使用FinFET技术的5、7、10、16nm节点工艺产品,如苹果A15 Bionic半导体器件,均侵犯了其专利。

AICP特别强调了台积电在2022年通过销售、工程和技术营销团队推广其侵权技术,诱导客户从旧节点转向涉嫌侵权的28nm节点行为,并引用了当时一篇"台积电致函客户:是时候停止使用旧节点并转向28纳米了 "的新闻报道作为证据。此外,在台积电2022年分析师电话会议上,台积电首席执行官曾表示28纳米节点是台积电的 "甜蜜点"。

因台积电提供的制造服务和设计是侵权产品的重要组成部分,AICP也认为构成了贡献侵权。

AICP指出,台积电自2012年起便知晓相关专利,并在后续专利申请过程中跟踪这些专利,尽管知道侵权情况,仍故意继续侵权。

专利来源于日本?

值得注意的是,AICP所使用的七项专利原本归属于日本松下电器,后由松下半导体公司转移至NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION JAPAN。这些专利在今年3月才完成转移,疑似为此次诉讼做准备。

新唐科技(NUVOTON)公司隶属于华邦电子公司集团(Winbond),这使得这场诉讼更像是两家中国台湾半导体公司之间的专利纠纷。

根据NUVOTON公司的官网显示,其最早的技术源头就是松下电器的半导体事业部门。 2020年9月1日,松下电器发布公告,经过监管批准,其已经完成了将半导体业务转让给NUVOTON公司的交易。

台积电技术介绍

台积电作为全球领先的半导体制造公司,一直以其强大的内部研发能力而自豪。以下是在专利诉讼中提到的几项台积电技术:

28nm技术:2011年,台积电成为首家提供28nm通用工艺技术的代工厂。该技术以其高性能、低功耗和较小的芯片尺寸而闻名,广泛应用于智能手机、平板电脑和其他消费电子产品中。

• 28HPM(High Performance Mobile):针对移动应用优化,提供高性能和低功耗特性。

• 28HPC+(High Performance Computing Plus):专为高性能计算应用设计,优化了速度和功耗效率。

• 28LP(Low Power):针对低功耗应用,如物联网设备,提供了出色的功耗表现。

FinFET技术:台积电的FinFET技术是其先进工艺的核心,包括5nm、7nm、16nm/12nm等不同节点。FinFET(Fin Field-Effect Transistor)技术通过三维鳍状结构取代了传统的平面栅极,提高了性能和能效,降低了漏电流,同时允许更高的晶体管密度和性能提升。

5nm技术:2020年,台积电启动了5nm FinFET技术的量产,为全球客户提供了创新解决方案。5nm技术以其更高的晶体管密度和更低的功耗,支持了高性能计算和移动设备的发展。

3nm技术:2022年,台积电推出了3nm FinFET技术,标志着半导体技术的又一次飞跃。3nm工艺在性能、功耗和面积上相较于5nm技术有显著提升。

结语

AICP请求法院判决台积电直接或间接侵犯其专利,并要求赔偿利润损失和合理的专利许可费,同时指出台积电的恶意侵权行为应支付三倍赔偿。从AICP起诉的策略可以看出,此次诉讼用六件专利指向了台积电28nm工艺,应该是此次维权的主力军。另有一件专利US8,796,779指向了台积电使用的FinFET技术的5、7、10和16纳米工艺,可以认为是策应。

案件目前处于初期阶段,双方的法律较量将持续一段时间。

台积电作为全球半导体制造的领头羊,其技术一直受到业界的高度认可。然而,此次专利侵权诉讼无疑给台积电带来了一定的法律风险和市场压力。AICP要求法院判决台积电侵犯专利,并索赔损失。案件的最终结果将对全球半导体产业产生深远影响。

文章来源:电子工程专辑

 

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点击数:0 | 更新时间:2024-08-06 11:04:34
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