供应_面向LTE和脉冲雷达应用的 CGHV27060MP GaN HEMT – 氮化镓晶体管，明佳达自营库存，保证全新原装！
概述
CGHV27060MP是一款60 W氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT ),采用小型封装；塑料SMT封装4.4毫米x 6.5毫米。晶体管是一种宽带器件，没有内部输入或输出匹配；这使得灵活性适用于从UHF到2.7 GHz的广泛频率范围。
CGHV27060MP是超高频脉冲应用的优秀晶体管；l波段或低S波段(< 2.7 GHz)。另外；该晶体管非常适合于A/B类等高效拓扑中平均功率为10至15w的LTE微型基站放大器；多赫蒂放大器。数据手册中描述的CGHV27060MP典型性能源自2.5至2.7 GHz的A/B类参考设计。
CGHV27060MP规格
技术：HEMT
频率：2.7GHz
增益：16.5dB
电压 - 测试：50 V
额定电流（安培）：6.3A
噪声系数：-
电流 - 测试：125 mA
功率 - 输出：80W
电压 - 额定：150 V
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：20-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：20-TSSOP
特性
从超高频到2.7GHz
脉冲PSAT下16.5 dB增益
脉冲PSAT下的效率为70%
脉冲PSAT时为85 W
线性PAVE = 14 W时的18 dB增益
线性铺设= 14 W时-35 dBc ACLR
线性铺设时效率为33% = 14w
可以应用高度DPD校正
