深圳市明佳达电子有限公司供应PMIC NCV68261MTWAITBG 理想二极管和高压侧开关 NMOS 控制器，全新原装，实单有接受价可谈！
概览
NCV68261MTWAITBG是一款反向极性保护和理想二极管 NMOS 控制器，具有可选的高压侧开关功能，旨在以较低损耗和较低正向电压替代功率整流二极管和机械式电源开关。该控制器与一个或两个 N 沟道 MOSFET 一起工作，并根据使能引脚的状态和输入到漏极的差分电压极性来设置晶体管的导通/关断状态。
根据漏极引脚的连接情况，理想二极管和高压侧开关应用可在两种不同的模式下工作。当漏极引脚连接到负载时，应用处于理想二极管模式，而当漏极引脚连接到地时，应用仅处于反极性保护模式。
功能特点
• 工作电压范围：高达 32 V
• 不受 60 V 负载倾卸脉冲影响
• 不受 -40 V 负瞬态影响
• 过压保护
• 在 VIN = 35.6 V typ 时断开负载与电池的连接
• 使能功能（3.3 V 逻辑兼容阈值）
• 理想二极管功能
• 防止电流反向流动（从输出到输入）
• 反向极性保护 (RPP) 功能
• 防止负电源
• 带理想二极管的高压侧开关
• 带反向极性保护的高压侧开关
• NCV 前缀，适用于需要独特的现场和控制变更要求的汽车和其他应用；通过 AEC-Q100 1 级认证，并具备 PPAP 能力
• 这些器件无铅，符合 RoHS 规范
典型应用
• 汽车电池调节
• 工业电源
• 整流器
• 高压侧开关
• 车辆控制模块
图 1. NCV68261 应用示意图（理想二极管）
图 2. NCV68261 应用示意图（理想二极管 + 高压侧开关）
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