11月11日，新能源汽车电机控制器是控制新能源汽车核心动力的大脑，而新能源汽车的核心动力系统是电机控制器上由硅原料加工制作而成的IGBT半导体功率器件。 但是由于材料限制，传统硅基功率器件在许多方面逐步逼近甚至已达到其材料的极限。以碳化硅为代表的半导体材料正以其卓越的性能吸引着广大制造商，本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120H用于新能源汽车的电机控制器，该器件比上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面表现更为出色。
基本半导体自2017年开始布局车用碳化硅器件研发和生产，目前已掌握碳化硅芯片设计、晶圆制造、模块封装、驱动应用等核心技术，申请两百余项发明专利，产品性能达到国际先进水平。 基本半导体B2M065120H具有更低的比导通电阻，通过综合优化芯片设计方案，比导通电阻降低约40%，产品性能显著提升，且具有非常低的开关损耗，B2M065120H器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%，反向传输电容Crss降低，提高器件的抗干扰能力，降低器件在串扰行为下误导通的风险。
B2M065120H性能参数：
• RDS (on)：65mΩ
• Voltage：1200V
• 最高工作结温：175°C
• 封装：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7
基本半导体汽车级碳化硅功率模块产线已实现全面量产，目前年产能达25万只模块；车规级碳化硅芯片产线已通线，达产后每年可保障约50万辆新能源汽车的相关芯片需求。
