为满足电力电子系统对更高效率、更小尺寸和更高性能的日益增长的需求，功率元件正在不断发展。为了向系统设计人员提供广泛的电源解决方案，Microchip Technology（微芯科技公司）今日宣布推出采用不同封装、支持多种拓扑结构以及电流和电压范围的IGBT 7器件组合。
这一新产品组合具有更高的功率容量、更低的功率损耗和紧凑的器件尺寸，旨在满足可持续发展、电动汽车和数据中心等高增长细分市场的需求。高性能IGBT 7器件是太阳能逆变器、氢能生态系统、商用车和农用车以及更多电动飞机（MEA）中电源应用的关键构件。
设计人员可根据自己的要求选择合适的功率器件解决方案。IGBT 7器件采用标准D3和D4 62毫米封装，以及SP6C、SP1F和SP6LI封装。该产品组合可在以下拓扑结构中提供多种配置：三电平中性点钳位（NPC）、三相桥、升压斩波器、降压斩波器、双共源、全桥、相腿、单开关和T型。支持电压范围为1200V至1700V，电流范围为50A至900A。
Microchip负责分立产品业务的副总裁 Leon Gross 表示：“多功能 IGBT 7系列产品是易用性和成本效益与更高功率密度和可靠性的完美结合，为我们的客户提供了最大的灵活性。这些产品专为通用工业应用以及专业航空航天和国防应用而设计。此外，我们的电源解决方案还可与Microchip广泛的FPGA、单片机（MCU）、微处理器（MPU）、dsPIC® 数字信号控制器 （DSC）和模拟器件集成，能够实现由一家供应商提供全面的系统解决方案。”
更低的导通IGBT电压 （Vce）、改进的反并联二极管（Vf更低）和更高的电流能力可实现更低的功率损耗、更高的功率密度和更高的系统效率。低电感封装加上Tvj -175°C时更高的过载能力，使这些器件成为以较低系统成本创建坚固耐用、高可靠性航空和防务应用（如推进、驱动和配电）的绝佳选择。
对于需要增强 dv/dt 可控性的电机控制应用，IGBT 7 器件经过设计，可实现高效、平滑和优化的开关驱动，从而使电机平滑转动。这些高性能器件还旨在提高系统可靠性、降低EMI和减少电压尖峰。
Microchip提供广泛的电源管理解决方案组合，包括模拟器件、硅（Si）和碳化硅（SiC）电源技术、dsPIC® 数字信号控制器 （DCS）以及标准、改进和定制电源模块。
