产品描述：
LTC7893AUFDM是一款高性能、升压DC-DC开关稳压控制器，可驱动输出电压高达100V的所有N沟道同步氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级。LTC7893解决了传统上使用GaN FETs时面临的许多挑战。与硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)解决方案相比，LTC7893简化了应用设计，同时不需要保护二极管和其他额外的外部元件。
LTC7893的栅极驱动电压可以在4V至5.5V范围内精确调整，以优化性能，并允许使用不同的GaN FET，甚至逻辑级MOSFET。当从升压转换器调节器输出偏置时，启动后LTC7893可以采用低至1V的输入电源工作。
特征：
针对 GaN FET 完全优化的 GaN 驱动技术
输出电压高达 100V
宽 VIN 范围：4V 至 60V，启动后可在低至 1V 的电压下工作
无需 Catch、Clamp 或 Bootstrap 二极管
内部智能自举开关防止高侧驱动器电源过度充电
电阻可调死区时间
分离输出栅极驱动器，用于可调节驱动器的导通和关断强度
精确可调的驱动器电压和 UVLO
低工作 IQ： 15μA
可编程频率 （100kHz 至 3MHz）
可同步频率 （100kHz 至 3MHz）
扩频频率调制
28 引脚 （4mm × 5mm）， 侧面可湿， QFN 封装
AEC-Q100 认证，适用于汽车应用
应用：
汽车和工业动力系统
军用航空电子和医疗系统
电信电力系统
