明佳达电子有限公司【供应】存储芯片 ESMT M15T4G16256A-DEBG2G DDR3(L) SDRAM 32M x 16 位 x 8 组，全新原装，欢迎咨询！！！
4Gb Double-Data-Rate-3 (DDR3(L)) DRAM 采用双数据速率架构，可实现高速运行。它内部配置为八组 DRAM。4Gb 芯片被组织成 32Mbit x 16 I/O x 8 组器件。这些同步器件可实现高达 1866 Mb/秒/引脚的高速双数据率传输速率，适用于一般应用。
特点
接口和电源
˗ SSTL_135: VDD/VDDQ = 1.35V(-0.067V/+0.1V)
˗ SSTL_15: VDD/VDDQ = 1.5V(±0.075V)
符合 JEDEC DDR3(L) 标准
˗ 8n 预取架构
˗ 差分时钟 (CK/CK) 和数据选通 (DQS/DQS)
˗ DQ、DQS 和 DM 的双倍数据速率
数据完整性
˗ 自动刷新和自刷新模式
省电模式
˗ 部分阵列自刷新（PASR）
˗掉电模式
信号完整性
˗ 可配置 DS 以实现系统兼容性
˗ 可配置的片上终端
˗ 通过外部 ZQ 焊盘实现 DS/ODT 阻抗精度的 ZQ 校准（240 欧姆 ± 1）
信号同步
˗ 通过 MR 设置进行写均衡
˗ 通过 MPR 读取电平
可编程功能
˗ CAS 延迟（5/6/7/8/9/10/11/12/13/14/15/16）
˗ CAS 写入延迟（5/6/7/8/9/10/11/12）
˗ 加法延迟（0/CL-1/CL-2）
˗写恢复时间（5/6/7/8/10/12/14/16）
˗ 突发类型（连续/交错）
˗ 突发长度（BL8/BC4/BC4 或实时 8）
˗ 自刷新温度范围（正常/扩展）
˗ 输出驱动器阻抗（34/40）
˗ RTT_Nom 的片上终端（20/30/40/60/120）
˗ RTT_WR（60/120）的裸片端接
˗ 预充电降频（慢/快）
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