明佳达电子大量现货供应英飞凌IKW75N65ES5采用 TO247 封装的 650V 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
以下是IKW75N65ES5 特征描述：
在 25°C 下， VCEsat 低至 1.35 V，比 TRENCHSTOP™ 5 H5 低 20%
Ic 脉冲电流的 4 倍 (100°C Tc)
软电流下降特性，无尾电流
对称的，电压过冲
栅极电压受到控制（无振动）。没有不必要的设备导通风险，也不需要栅极箝位。
最高结温 Tvj = 175°C
质量符合 JEDEC 标准
优势
不需要 VCEpeak 箝位电路
不需要栅极箝位元件
出色的 EMI 行为
非常适合并联
规格
型号：IKW75N65ES5
IGBT 类型：沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：80 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：1.75V @ 15V，75A
功率 - 最大值：395 W
开关能量：2.4mJ（导通），950µJ（关断）
输入类型：标准
栅极电荷：164 nC
25°C 时 Td（开/关）值：40ns/144ns
测试条件：400V，75A，18 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)：85 ns
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：PG-TO247-3
应用领域
48V 配电
储能系统-英飞凌(Infineon)官网
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IKW75N65ES5 器件是采用 TO247 封装的 650 V 硬开关 TRENCHSTOP™ 5 S5 IGBT，适合开关频率在 10 kHz 到 40 kHz 之间的应用，可实现高效率和更快的产品上市周期，降低电路设计复杂性并优化 PCB 物料清单成本。
