器件说明
CY62167G30-45ZXI是一款高性能CMOS、低功耗(MoBL) SRAM器件，内置ECC。CY62167GE30器件包括一个ERR引脚，用于在一个读周期内发出一个单位错误检测和纠正事件的信号。
这些器件具有独特的字节关断特性，如果两个字节使能(BHE和BLE)均被禁用，无论芯片使能状态如何，器件都会无缝切换到待机模式，从而节省功耗。
在CY62167GE30器件上，通过置位ERR输出(ERR=高电平)来检测和纠正所访问位置的单位错误。
技术规格
存储器类型：易失
存储器格式：SRAM
技术：SRAM - 异步
存储容量：16Mb
存储器组织：2M x 8，1M x 16
存储器接口：并联
写周期时间 - 字，页：45ns
访问时间：45 ns
电压 - 供电：2.2V ~ 3.6V
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：48-TSOP I
基本产品编号：CY62167
应用场景
CY62167G30-45ZXI器件广泛应用于各种需要高速数据处理和实时响应的电子设备中，包括：
人机界面
工业 4.0 的工业机器人系统解决方案
伺服电机驱动和控制
