明佳达电子原厂原装供应NOR闪存 S29GL256S10DHB023 高性能 Parallel NOR Flash 存储器，采用64引脚FBGA封装。
器件说明
英飞凌 S29GL256S10DHB023 是采用 65 纳米工艺技术制造的 MirrorBit® Eclipse 闪存产品。这些器件的快速页面访问时间快达 15 ns，相应的随机访问时间快达 90 ns。这些器件具有一个写入缓冲器，允许在一次操作中最多编程 256 个字/512 个字节，从而使有效编程时间比标准编程算法更快。因此，这些器件非常适合当今需要更高密度、更高性能和更低功耗的嵌入式应用。
产品规格
存储容量：256Mbit（32MB）
接口类型：并行接口（Parallel），支持3V/3.3V
封装形式：64引脚FBGA（9x9 mm），表面贴装
工作温度范围：-40°C至105°C，符合汽车级AEC-Q100标准
读取速度：100ns
独特的特性
CMOS 3.0 伏内核与多功能 I/O
65 纳米 MirrorBit Eclipse 技术
用于读取/编程/擦除的单电源 (VCC) (2.7V 至 3.6V)
多功能 I/O 特性
- 宽 I/O 电压范围 (VIO)： 1.65V 至 VCC
x16 数据总线
异步 32 字节页面读取
512 字节编程缓冲器
- 以页面倍数编程，最大可达 512 字节
单字和同一字上多个程序选项
自动错误检查和纠正 (ECC) - 具有单位错误纠正功能的内部硬件 ECC
扇区擦除
- 统一的 128 字节扇区
用于编程和擦除操作的暂停和恢复命令
状态寄存器、数据轮询和就绪/忙引脚方法确定设备状态
高级扇区保护 (ASP)
- 每个扇区的易失性和非易失性保护方法
独立的 1024 字节一次性编程 (OTP) 阵列，有两个可锁定区域
通用闪存接口 (CFI) 参数表
温度范围/等级
- 工业级（-40°C 至 +85°C）
- 工业级（-40°C 至 +105°C）
- 汽车，AEC-Q100 3 级（-40°C 至 +85°C）
- 汽车，AEC-Q100 2 级（-40°C 至 +105°C）
100,000 次编程/擦除循环
20 年数据保存期
封装
- 64 球 LAE 加固 BGA，9 毫米 x 9 毫米
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