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英飞凌IGBT:IGW30N60H3 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 600V HI SPEED SW IGBT

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IGW30N60H3器件描述:

采用 TO247 封装的高速 600 V、30 A 单通道 TRENCHSTOP™ IGBT3 在开关和传导损耗之间实现了最佳折衷。该系列的主要特点是具有类似 MOSFET 的关断开关行为,从而实现了较低的关断损耗。

特性描述

  • 采用著名的英飞凌 TRENCHSTOP™ 技术,具有出色的 Vce(sat) 性能
  • 快速开关性能和低 EMI 辐射
  • 可选择低栅极电阻(低至 5Ω),同时保持出色的开关性能
  • 短路能力 5µs
  • Tj(max) 为 175°C
  • 可带或不带续流二极管封装,提高设计自由度

IGW30N60H3——IGBT 沟槽型场截止 600 V 60 A 187 W 通孔 PG-TO247-3-1

产品属性

产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
600 V
1.95 V
- 20 V, 20 V
60 A
187 W
- 40 C
+ 175 C
HighSpeed 3
栅极—射极漏泄电流: 100 nA

IGW30N60H3

公司主页:http://www.szmjd.com/

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点击数:0 | 更新时间:2025-02-18 14:06:20
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