明佳达电子供应【Infineon】IPA60R099P7 CoolMOS™ P7 N通道功率 MOSFET晶体管
IPA60R099P7：600V，CoolMOS™ P7 N沟道功率 MOSFET 晶体管——兼具高能效和易用性的优化超级结 MOSFET 晶体管。
基本信息：
封装：TO-220-3
类型：CoolMOS™ P7 N通道功率 MOSFET晶体管
概述：
IPA60R099P7 是一款 600V，N通道功率 MOSFET晶体管，采用英飞凌的 CoolMOS™ P7 技术。该技术优化了开关性能和导通电阻，适用于高效电源转换应用。
IPA60R099P7 凭借其低导通电阻、快速开关和优异的热性能，广泛应用于高效电源转换领域，适合高功率密度设计。
IPA60R099P7——产品属性：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：99 毫欧 @ 10.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 530µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：45 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1952 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：29W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO220-FP
封装/外壳：TO-220-3
IPA60R099P7——特性概述：
效率
- 600V P7 实现了出色的 FOM RDS(on)xEoss 和 RDS(on)xQG
易于使用
- ESD 强度≥ 2kV（HBM 等级 2）
- 集成栅极电阻器 RG
- 坚固的体二极管
- 通孔和表面贴装封装的广泛产品组合
- 提供标准级和工业级器件
IPA60R099P7——优点：
效率高
- 出色的 FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss 实现了更高的效率
易于使用
- 通过阻止 ESD 故障的发生，实现制造环境中的易用性
- 集成 RG 可降低 MOSFET 的振荡灵敏度
- MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
- 在 LLC 拓扑中出现的体二极管硬换向期间具有出色的坚固性
- 适用于各种终端应用和输出功率
- 提供适合消费和工业应用的部件
IPA60R099P7——潜在应用：
电视电源
工业 SMPS
服务器
电信
照明
