英飞凌 IPB029N15NM6 是一款采用 OptiMOS™ 6 技术的 N 沟道功率 MOSFET，凭借其卓越的性能和可靠性，成为各种电源应用的理想选择。明佳达电子作为知名电子元器件分销商，长期稳定供应 IPB029N15NM6，为客户提供原装正品和优质服务。
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参数 |
IPB029N15NM6 |
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| ID (@25°C) 最大 | 165 A |
| IDpuls 最大 | 660 A |
| 工作温度 最小值 最大值 | -55 °C 175 °C |
| 最大功率 | 395 W |
| 封装 | D2PAK (TO-263) |
| 极性 | N |
| QG（典型值 @10V) | 105 nC |
| RDS (on) (@10V) 最大 | 2.9 mΩ |
| VDS 最大值 | 150 V |
| VGS(th) 最小值 最大值 | 3.5 V 3 V 4 V |
IPB029N15NM6 主要特性：
低导通电阻 (RDS(on)): 低至 2.9 mΩ，有效降低导通损耗，提高效率。
高电流能力: 连续漏极电流 (ID) 高达 100 A，满足高功率应用需求。
快速开关速度: 低栅极电荷 (Qg) 和低反向恢复电荷 (Qrr)，实现快速开关，降低开关损耗。
优异的热性能: 低热阻 (RthJC)，确保良好的散热性能，提高可靠性。
符合 RoHS 标准: 符合环保要求，安全可靠。
IPB029N15NM6 产品优势：
导通和开关损耗低
运行稳定，改善电磁干扰
并联时更好地分担电流
增强稳健性
提高系统可靠性
IPB029N15NM6 应用领域：
开关电源 (SMPS)
电机驱动
太阳能逆变器
电池管理系统 (BMS)
其他高功率应用
如果您正在寻找一款高效能、低损耗的功率 MOSFET，IPB029N15NM6 将是您的不二之选。
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