目前,许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展,实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)于 2024年9月推出CoolSiC肖特基二极管2000 V G5产品系列,这是首款击穿电压达到2000 V的碳化硅二极管分立器件。该产品系列目前扩展到TO-247-2封装,其引脚可与现有的大多数TO-247-2封装兼容。该产品系列非常适合最高直流母线电压为1500 VDC的应用,是太阳能和电动汽车充电桩的理想之选。
这款TO-247-2 封装的2000 V CoolSiC肖特基二极管G5的额定电流范围为10 A至80 A。相比1200 V 解决方案,这款产品能使开发人员在应用中实现更高功率等级,同时将器件数量减半,从而简化整体设计,并有助于从多电平拓扑结构无缝过渡到两电平拓扑结构。
此外,TO-247-2 封装的肖特基二极管还采用.XT互联技术,大大降低了热阻抗,提高了热管理能力。它还通过HV-H3TRB可靠性测试,验证了在潮湿环境中的稳定性。这款二极管没有反向恢复和正向恢复,且具有正向电压低的特点,从而确保了系统性能的提升。
2000 V二极管系列可与英飞凌2024年春季推出的TO-247Plus-4 HCC 封装CoolSiC MOSFET 2000 V完美匹配。除TO-247-2 封装外,CoolSiC肖特基二极管 2000 V还提供 TO-247PLUS-4 HCC封装。
供货情况
TO-247-2封装CoolSiC肖特基二极管2000 V G5系列现已上市。此外,英飞凌还提供 2000 V CoolSiC产品系列的评估板以及配套的栅极驱动器产品组合。了解更多信息,请访问www.infineon.com/diodes-2000v-g5。