英飞凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

 

在现代电子工业中，功率 MOSFET 晶体管作为高效开关器件广泛应用于电源管理、工业控制和汽车电子等领域。英飞凌的 CoolMOS™ P7 系列以其卓越的性能和可靠性深受市场青睐。深圳市明佳达电子有限公司作为全球知名的电子元器件分销商，长期供应英飞凌 IPB60R045P7 CoolMOS™ P7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，为客户提供优质的产品和专业的服务。

 

英飞凌 IPB60R045P7 CoolMOS™ P7 产品概述

 

1、IPB60R045P7 产品描述

IPB60R045P7 600V CoolMOS™ P7 超级结 MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。它在设计过程中继续兼顾高效率和易用性的需求。CoolMOS™ 第 7 代平台同类最佳的 RonxA 和固有的低栅极电荷 (QG) 确保了它的高效率。

 

 

2、IPB60R045P7 是英飞凌 CoolMOS™ P7 系列中的一款高性能 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，采用先进的 MOSFET 技术，具有以下主要特性：

 

高电压能力： IPB60R045P7 具有高达 650V 的高漏极-源极电压 (Vdss)，适合高压应用场合。

 

低导通电阻： IPB60R045P7 极低的导通电阻大大降低了传导损耗，提高了整体效率。在 15.9A 电流和 10V 驱动电压下，导通电阻（Rds On）仅为 45mOhm，有效降低了功耗。

 

大电流承载能力： IPB60R045P7 在 25°C 时的持续漏极电流 (Id) 为 48A，可满足高功率要求。

 

快速开关性能： 得益于 CoolMOS™ P7 平台的超结技术，IPB60R045P7 器件具有极低的栅极电荷 (QG) 和开关损耗，适用于高频开关应用。

 

宽温度范围： IPB60R045P7 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于恶劣环境。

 

集成 ESD 保护： IPB60R045P7 的内置齐纳二极管提供高达 2 kV 的静电放电 (ESD) 保护，提高了器件的可靠性。

 

优化的封装设计： IPB60R045P7 支持多种通孔和表面贴装封装（如 D²PAK），以满足不同应用场景的需求。

 

 

3、IPB60R045P7 的技术优势

高效设计： IPB60R045P7 通过优化 RDS(on) 和 QG 的品质因数 (FOM)，实现了更高的效率，因此特别适用于 PFC 和 LLC 等硬开关和软开关拓扑结构。

 

易于使用： 集成的栅极电阻器 (RG) 降低了振荡灵敏度，简化了设计流程。此外，其低振铃趋势和出色的体二极管稳健性进一步降低了设计复杂性。

 

优异的热性能： 低开关损耗和传导损耗使器件能够在高温环境下保持稳定运行，因此适合高功率密度设计。

 

 

4、IPB60R045P7 的特性和优势

600V P7 可实现出色的 FOM RDS(on)xEoss 和 RDS(on)xQG

易于使用

ESD 强度≥ 2kV（HBM 等级 2）

集成栅极电阻器 RG

坚固的体二极管

通孔和表面贴装封装的广泛产品组合

提供标准级和工业级器件

出色的 FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss 可实现更高的效率

易于使用

通过阻止 ESD 故障的发生，实现制造环境中的易用性

集成 RG 可降低 MOSFET 的振荡灵敏度

MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑

在 LLC 拓扑中出现的体二极管硬换向期间具有出色的坚固性

适用于各种终端应用和输出功率

提供适用于消费和工业应用的部件

 

5、IPB60R045P7 的应用

工业电源： 包括服务器电源、通信设备和工业 SMPS，其高性能和可靠性可满足恶劣工业环境的需求。

 

消费电子产品： 适用于电视电源、适配器和充电器，有助于实现微型化和高性能设计目标。

 

新能源：在太阳能逆变器和电动汽车充电桩中充分体现了高性能和低损耗的特点。