明佳达电子现货供应：NXP A2T21H410-24SR6 射频MOSFET晶体管（原装正品）（现货供应）（支持快速交付）
产品描述
NXP A2T21H410-24SR6是一款高性能N沟道增强型横向射频MOSFET（RF MOSFET），专为射频功率放大（RF PA） 应用设计。该器件采用 Si（硅）技术，适用于高频率、高功率 的无线通信系统，如 基站、广播设备、雷达系统等。
产品特性（A2T21H410-24SR6）
高功率输出：72W平均功率输出。
工作频率：2110-2170 MHz，适用于蜂窝基站。
低插入损耗：优化设计确保低插入损耗和高增益。
高增益：15.6dB增益，提供卓越的信号放大性能。
环保合规：符合RoHS标准，支持无铅工艺。
关键参数
频率范围：2110-2170 MHz
功率输出：72W
增益：15.6dB
封装形式：NI-1230-4LS2L
工作电压：28V
最大电流：600mA
应用领域（A2T21H410-24SR6）
蜂窝基站：支持2110-2170 MHz频段的移动通信设备。
射频功率放大器：适用于高功率射频信号放大。
无线通信：满足高速数据传输和低延迟通信需求。
如果您需要NXP A2T21H410-24SR6射频晶体管，欢迎联系明佳达电子：
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