适用于 VR13 CPU VCORE 和 DDR 存储器的 TI TPS53626RSMR 2 相 D-CAP+™ 降压控制器

 

在当今的高性能计算和服务器应用中，电源管理已成为系统设计的一个重要方面。作为全球知名的电子元器件分销商，深圳市明佳达电子有限公司长期稳定供应 TI TPS53626RSMR 2 相 D-CAP+™ 降压控制器，该产品专为优化 VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存的供电而设计。

 

TPS53626RSMR 的产品说明

TPS53626RSMR 是一款无驱动、符合 VR13 SVID 标准的同步降压控制器。D-CAP+ 架构等先进的控制特性具有重叠脉冲，支持减少欠冲（USR）和减少过冲（OSR），可提供快速瞬态响应、最低输出电容和高效率。

 

TPS53626RSMR 还支持在 CCM 或 DCM 中单相运行，以提高轻负载效率。TPS53626RSMR 器件集成了全套 VR13 I/O 功能，包括 VR_READY (PGOOD)、ALERT 和 VR_HOT。SVID 接口地址允许在 00h 至 07h 之间进行编程。VOUT 压摆率的可调控制编程可高达 20mV/uS。

 

TPS53626RSMR 器件采用节省空间的热增强型 32 引脚 VQFN 封装，工作温度范围为 -40°C 至 105°C。

 

 

TPS53626RSMR 的主要性能参数：

输入电压范围： 4.5V 至 25V，适用于多种系统电源架构。

输出电压范围：0.5V 至 1.52V： 0.5V 至 1.52V，完全符合 VR13 CPU VCORE 和 DDR 内存要求。

开关频率：300kHz 至 1MHz 可编程，支持效率与尺寸的最佳平衡

控制架构： 先进的 D-CAP+™ 模式无需外部补偿网络

相位配置： 支持两相操作，可扩展至多相系统

封装：40 引脚 RSMR 封装，节省 PCB 空间

 

TPS53626RSMR 的核心创新技术：

D-CAP+™ 控制模式： TPS53626RSMR 结合了电压模式和电流模式控制的优势，可在保持稳定的同时提供快速瞬态响应，而无需复杂的外部补偿网络。

 

自适应导通时间控制： TPS53626RSMR 可根据输入和输出电压自动调整导通时间，从而优化能效性能。

 

集成 MOSFET 驱动器： TPS53626RSMR 简化了设计并减少了外部元件的数量，从而降低了 BOM 成本。

 

全面保护： TPS53626RSMR 包括过压保护 (OVP)、欠压保护 (UVP)、过流保护 (OCP) 和过温保护 (OTP)，可确保系统可靠性。

 

TPS53626RSMR 的特性

符合 Intel VR13 串行 VID (SVID) 标准

单相或双相操作

VR13 VCCIO 和 VMCP 的默认配置模式

支持降压和非降压应用

8 位 DAC，5 毫伏步进

输出范围： 0.25 V 至 1.52 V

优化轻负载和重负载时的效率

8 个独立的过冲降低 (OSR) 和欠冲降低 (USR) 级别

用于高效高频开关的无驱动器配置

支持分立、功率块、功率级或 DrMOS MOSFET 实现

精确、可调的电压定位

300 kHz 至 1-MHz 频率选择

获得专利的自动平衡相位

用于负载瞬态提升的可编程导通脉冲扩展

可编程自动 DCM 和 CCM 操作

可选 8 级电流限制

4.5 V 至 28 V 转换电压范围

小型、4 mm × 4 mm、32 引脚、VQFN PowerPad 封装

 

TPS53626RSMR 的主要应用领域

VR13 CPU VCORE 电源： TPS53626RSMR 为 VR13 标准处理器提供精确的内核电压调节，以满足高性能计算需求。

 

DDR 内存电源： TPS53626RSMR 支持 DDR3、DDR4 和未来的 DDR5 内存的电源要求，提供稳定的低电压和大电流输出。

 

服务器和工作站： TPS53626RSMR 适用于数据中心和云计算基础设施中的高密度计算设备。

 

网络通信设备： TPS53626RSMR 可为路由器、交换机和其他网络设备的核心处理器和存储器供电。

 

工业控制系统： TPS53626RSMR 可满足工业级应用对电源可靠性和稳定性的严格要求。