明佳达电子作为全球知名的电子元器件供应商，致力于为客户提供高品质的射频功率晶体管。A2T27S020GNR1 是一款由 NXP 推出的高性能 2.5 W 射频功率 LDMOS 晶体管，专为频率范围为 400 至 2700 MHz 的移动通信基站应用而设计。
A2T27S020GNR1是一款 2.5 W 射频功率 LDMOS 晶体管，采用 TO-270G-2 封装，具有宽频率范围和高增益的特点，适用于多种移动通信基站应用。
A2T27S020GNR1产品特性
宽频率范围：覆盖 400 至 2700 MHz 的频率范围，适用于多种通信标准。
高增益：提供高达 21 dB 的典型增益，确保信号的有效放大。
高效率：在典型工作条件下，效率可达 20%，减少能量损耗。
低失真：出色的线性性能，适合高线性度要求的应用。
出色的热性能：具备良好的热稳定性，确保在高功率输出下的可靠运行。
技术参数
频率范围：400 至 2700 MHz
平均输出功率：2.5 W
峰值输出功率：20 W（P-1 dB）
工作电压：28 V
漏极电流：185 mA（典型值）
增益：21 dB（典型值）
效率：20%（典型值）
封装形式：TO-270G-2
产品应用
移动通信基站：适用于 4G 和 5G 基站的功率放大器。
无线通信设备：如无线接入点和微波链路设备。
雷达系统：提供高功率输出和高增益。
卫星通信：确保信号的高效传输和放大。
如果您对 A2T27S020GNR1 感兴趣，或有其他电子元器件需求，请联系明佳达电子：
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网址：www.szmjd.com / www.hkmjd.com
明佳达电子凭借其丰富的行业经验和优质的服务，成为 A2T27S020GNR1 射频功率晶体管的首选供应商，为全球客户提供高效、可靠的解决方案。
