明佳达电子供应ST【STL135N8F7AG】N通道MOSFET：高功率密度与高效能晶体管
深圳市明佳达电子有限公司——专注于为工业、汽车及新能源领域提供高性能半导体器件。公司长期为客户提供 STMicroelectronics（意法半导体）的 STL135N8F7AG N通道MOSFET晶体管，该器件凭借其卓越的功率密度和可靠性，成为高电流、高频率应用的理想选择。明佳达电子依托原厂直供渠道、充足库存，助力客户快速获取这一关键器件，满足严苛设计需求。
STL135N8F7AG 是ST旗下STripFET™ F7系列的高性能N通道MOSFET晶体管，专为高功率应用优化设计。STL135N8F7AG 采用先进的沟槽栅技术，兼具低导通电阻（Rds(on)）、快速开关特性及优异的散热性能，适用于电源管理、电机驱动等高负载场景。
STL135N8F7AG 关键参数速览
电压/电流规格：
漏源电压（Vds）：80V
连续漏极电流（Id）：135A（@25°C）
脉冲漏极电流（Id_pulse）：540A
导通电阻：
Rds(on)（典型值）：0.8mΩ（@Vgs=10V）
封装形式：PowerFlat™ 5x6（低电感封装，优化散热与PCB布局）
工作温度：-55°C至175°C
二、STL135N8F7AG核心特性与优势
1. 超高电流承载能力
- 135A的连续电流与540A脉冲电流能力，可轻松应对电机驱动、工业电源等大功率场景的瞬时负载冲击。
- 低至0.8mΩ的导通电阻显著降低导通损耗，提升系统整体效率。
2. 优化的开关性能
低栅极电荷（Qg）与快速开关速度，减少高频应用中的开关损耗，适用于DC-DC转换器、同步整流等拓扑结构。
3. 强化的散热设计
PowerFlat™ 5x6封装提供更大的散热面积，结合裸露的漏极焊盘（Exposed Pad），可通过PCB铜层快速导热，支持高温环境下的稳定运行。
4. 高可靠性认证
符合工业级与汽车电子标准（如AEC-Q101），适用于新能源汽车、工业自动化等严苛环境。
三、典型应用领域
STL135N8F7AG 凭借其高性能参数，广泛应用于以下场景：
工业电源系统
- 服务器电源、通信基站电源的同步整流模块。
- 大电流DC-DC转换器与逆变器设计。
电机驱动与控制
- 工业机器人、电动工具的电机驱动电路。
- 新能源汽车的OBC（车载充电机）与PDU（电源分配单元）。
新能源与储能
- 太阳能逆变器、储能系统的功率开关模块。
消费电子
- 高端无人机、电动自行车的电池管理系统（BMS）。
STL135N8F7AG N通道MOSFET晶体管以其高功率密度、低损耗特性，成为工业与汽车电子领域的“能效引擎”。明佳达电子通过一站式供应服务，为客户缩短研发周期、降低采购风险。如需获取样品、参数资料或价格咨询，欢迎随时联系明佳达团队！
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