深圳市明佳达电子推出功率MOSFET IPZ40N04S5L-2R8：英飞凌40V N沟道汽车级MOSFET，OptiMOS™-5技术，低导通电阻2.8mΩ，全新原装现货供应，库存充足，确保快速交货。
产品概述
英飞凌IPZ40N04S5L-2R8是一款专为汽车应用设计的OptiMOS™-5功率MOSFET，具有以下特点：
低导通电阻：最大2.8mΩ，确保高效能。
高可靠性：AEC-Q101认证，确保在汽车环境中的可靠性。
宽工作温度范围：高达175°C，适用于严苛的汽车应用环境。
环保设计：符合RoHS标准，100%经过雪崩测试。
IPZ40N04S5L-2R8主要特性
漏源电压：40V
连续漏极电流：40A（Tc）
导通电阻：2.8mΩ@20A,10V
功率：71W（Tc）
阈值电压：2V@30uA
栅极电荷：52nC@10V
输入电容：2.8nF@25V
工作温度：-55℃~+175℃（Tj）
IPZ40N04S5L-2R8应用领域
汽车电子控制单元（ECU）
48V轻度混合动力系统
汽车LED照明
电池管理系统（BMS）
电动汽车（EV）和混合动力汽车（HEV）的电源管理
