NTBGS001N06C器件是一款N沟道场效应管（MOSFET），主要参数如下：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：42A（Ta），342A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V，12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.1 毫欧 @ 112A，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 562µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：139 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：11110 pF @ 30 V
FET 功能：-
功率耗散（最大值）：3.7W（Ta），245W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
器件封装：TO-263（D2PAK）
这些参数使得NTBGS001N06C适用于需要高电流和高效率的电路设计，特别是在功率转换和电机控制等应用中表现出色。
介绍
NTBGS001N06C是一款小尺寸、设计紧凑的MOSFET，具有低RDS(on) 和低电容。低RDS(on) 值可最大限度降低导通损耗，低电容可最大限度降低驱动器损耗。
NTBGS001N06C具有以下主要特征：
• 低 RDS（on） 可最大限度地降低导通损耗
• 低 QG 和电容，可最大限度地减少驱动器损耗
• 降低开关噪声/EMI
• 无铅、无卤素/无溴化阻燃剂 （BFR），并且符合 RoHS 规范
应用场景
NTBGS001N06C适用于需要高电流和高耐压的应用场景，包括：
• 电动工具、电池供电的吸尘器
• 无人机/无人机、物料搬运
• BMS/存储、家庭自动化
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