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INFINEON IPA65R600E6 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO220

INFINEON IPA65R600E6 MOSFET N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6

详细参数

型号

IPA65R600E6  

类型

场效应晶体管

品牌

INFINEON  

封装

TO-220F 
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 650V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 7.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 210µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 23nC @ 10V
电压,耦合至栅极电荷(Qg)(最大)@ Vgs 10V
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 440pF @ 100V
电压,耦合至输入电容(Ciss)(最大) @ Vds 100V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 28W(Tc)
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 600 毫欧 @ 2.1A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO-220-FP
封装/外壳 TO-220-3 整包
实物图

IPA65R600E6

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点击数:0 | 更新时间:2018-02-09 12:51:54
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