Diodes公司的 650V 碳化硅肖特基二极管提供领先业界的FoM及系统效率

【2025 年 4 月 29 日】Diodes 公司宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合，推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管。DSCxxA065LP 系列的额定电流为 4A、6A、8A、10A 及 12A，采用超高热效率的 T-DFN8080-4 封装，专为高效率电源开关产品应用而设计，例如直流对直流、交流转直流、可再生能源、数据中心 (特别是处理大量人工智能运算的数据中心) ，以及工业电机驱动等。

DSCxxA065LP 系列的品质因数 (FoM = QC × VF) 为业界极佳，归功于以下两大特点：

• 无反向恢复电流和低电容电荷 (QC)，因此开关损耗可忽略不计；
• 低正向电压 (VF) 可大幅降低传导损耗，提升整体功率效率。

以上两个特性使得该系列产品非常适合用于高速开关电路。

DSCxxA065LP 系列的反向漏电流 (IR) 也低于业界其他产品，最大仅为 20µA。这能大幅降低热耗散和传导损耗，提高系统稳定性以及可靠度，相较于硅基肖特基器件，这些优势更加明显。降低热耗散也能减少冷却成本和运营支出。

小巧轻薄的 T-DFN8080-4 (典型尺寸：8mm x 8mm x 1mm) 表面贴装封装底部有大面积散热片，可降低热阻。T‑DFN8080-4 占用更少的电路板面积，但具有更大的散热片，可完美替代 TO252 (DPAK)。这两个特点有助于提高电路设计的功率密度，缩小整体尺寸，降低冷却预算。