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INFINEON IPD60R750E6 MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

 INFINEON  IPD60R750E6 MOSFET N-Ch 650V 5.7A DPAK-2 CoolMOS E6

详细参数

型号

IPD60R750E6  

类型

场效应晶体管

品牌

INFINEON  

封装

TO-252 
规格
Categories
Manufacturer Infineon Technologies
Series CoolMOS™ E6
Packaging  Tape & Reel (TR) 
Part Status Last Time Buy
FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.2nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 373pF @ 100V
FET Feature -
Power Dissipation (Max) 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 2A, 10V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Supplier Device Package PG-TO252-3
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

PDF技术资料

http://www.alldatasheet.com/datasheet-pdf/pdf/418910/INFINEON/IPD60R750E6.html

实物图

IPD60R750E6

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http://www.hkmjd.com/news

源自:深圳市明佳达电子有限公司

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点击数:0 | 更新时间:2018-02-09 12:58:57
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