N沟道功率MOSFET_BSC093N15NS_OptiMOS™ 5功率晶体管,150V

英飞凌的新型 OptiMOS™ 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动摩托车等低压驱动以及电信和太阳能应用。新产品突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的次佳替代品相比，降低幅度高达 25%）和 Q rr，同时不影响 FOM gd 和 FOM OSS，在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外，超低反向恢复电荷（SuperSO8 中的 Q rr = 26 nC）提高了换向的坚固性。

深圳市明佳达电子有限公司供应N沟道功率MOSFET_ BSC093N15NS5_OptiMOS™ 5功率晶体管,150V，产品原装正品，货源充足！

其主要特点包括：

• 低导通电阻：最大导通电阻 (RDS(on)) 为 9.3 毫欧姆 (VGS=10V, ID=44A)。
• 高电流能力：连续漏极电流 (ID) 最大可达 87 安培 (TC=25°C)。
• 出色的开关性能：具备快速的开关速度和低反向恢复电荷 (Qrr=58nC)，适合高频应用。
• 宽工作温度范围：可在 -55°C 至 +150°C 的结温和存储温度范围内工作。
• 符合 RoHS 标准：无铅封装，环保合规。

技术参数

• 漏源击穿电压 (V(BR)DSS)：150V。
• 栅源电压 (VGS)：范围为 -20V 至 +20V。
• 功率耗散 (Ptot)：最大 139W (TC=25°C)。
• 热阻抗：结至外壳热阻 (RthJC) 最大 0.9 K/W，结至环境热阻 (RthJA) 最大 50 K/W。

封装形式

• 采用 PG-TDSON-8 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性。

潜在应用

• 低压驱动
• 电信
• 太阳能

如果对供应的 BSC093N15NS5 OptiMOS™ 5 功率晶体管感兴趣，欢迎随时联系，我们将竭诚为您服务！

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